東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產品于今日開始批量出貨。
新產品是東芝碳化硅MOSFET產品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產品，其封裝支持柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網發布。
【資料圖】
東芝將繼續擴大自身產品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡易方框圖
應用：
- 開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）
特性：
- 4引腳TO-247-4L(X)封裝：
柵極驅動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關損耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特征 | 庫存查詢與購買 | ||||||||
漏 源 電壓 VDSS （V） | 柵 源 電壓 VGSS （V） | 漏極 電流 （DC） ID （A） | 漏 源 導通 電阻 RDS(ON) （mΩ） | 柵極 閾值 電壓 Vth （V） | 總 柵極 電荷 Qg （nC） | 柵 漏 電荷 Qgd （nC） | 輸入 電容 Ciss （pF） | 二極管 正向 電壓 VDSF （V） | ||||
Tc＝25℃ | VGS＝18V | VDS＝10V | VGS＝18V | VGS＝18V | 典型值 | 測量 條件 VDS （V） | VGS＝-5V | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
TW015Z120C | TO-247-4L(X) | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 | 在線購買 |
TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購買 | ||||||
TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購買 | ||||||
TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購買 | ||||||
TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購買 | ||||||
TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | 在線購買 | ||||
TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購買 | ||||||
TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購買 | ||||||
TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購買 | ||||||
TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購買 | ||||||
注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，東芝測量值（測量條件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
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